通道，通道增加了，传递信号的速度自然就更快了。
所以在同等芯片面积下，能排列更多晶体管的那个，也就是性能更好的。
只不过，硅基芯片的极限扩展只能到1纳米，其中涉及到硅基这种材料的原子排列限制。
这样的限制，从芯片制程工艺发展上面就可见一斑。
从开始，几年可以提升几十纳米的制程工艺，到逐渐接近极限，各家公司纷纷折戟，数年的不到大的突破。
2001年，当时的芯片制程工艺是130纳米，那时候用的奔腾3处理器，就是130纳米工艺。
2004年，是90纳米元年，那一年奔腾4采用了90纳米制程工艺，性能进一步提升。
而当时能达到90纳米制成工艺的厂家有很多，比如英特尔，英飞凌，德州仪器，IBM，以及联电和台积电。
2012年制程工艺发展到22纳米，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等，世界上依旧有很多厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。
2015年成了芯片制成发展的一个分水岭，当制程工艺进入14纳米时，联电（台联华电子）止步于此。
2017年，工艺步入10纳米，英特尔倒在了10纳米，曾经的英特尔芯片制程独步天下，台积电三星等都是跟在屁股后面追赶的。
但是当工艺进入10纳米后，英特尔的10纳米芯片只能在低端型号机器上使用，英特尔主力的I5和I7处理器，由于良率问题而迟迟无法交货。
2018年，工艺步入7纳米。
到2022年，量产电脑CPU的制程工艺，依旧处在7纳米的程度！手机m程度。
哪怕是神马科技公司，依然无法打破硅基芯片1纳米制程的限制。
但是碳基芯片却可以实现1纳米以内的工艺，它的运行速度可以比传统的硅基芯片快上5到10倍，功耗也降低了不止一点点。
神马科技公司设计生产的芯片，主要有两种。
自己公司内部使用的，是以碳纳米晶体管作为底层材料的碳基芯片，以这台芯片生产工厂现有的工艺，能够生产0.1碳纳米的芯片。
其运行速度，比起现如今尖端半导体制造的处理器强大了十几万倍！
这款芯片，宁一帆准备暂时只自己使用。
除此之外，芯片生产工厂依然生产现今世界上广泛使用的硅基芯片，不过哪怕依然是硅基芯片